台積電小心！三星再放話5年內超車 主要關鍵轉折在這製程
慶桂顯承認三星的代工技術落後於台積電，他解釋說，三星的4奈米技術比台積電落後大約2年，而其3奈米製程工藝則比台積電落後大約1年。
IT之家報導，慶桂顯也表示，等到2奈米就會發生變化，他並大膽預測：「我們可以在5年內超越台積電。」
三星可能在未來5年內超越台積電的想法，源於三星打算從3奈米製造工藝開始使用 Gate All Around（GAA，環繞式閘極）技術。相較之下，台積電在2奈米 製程才會使用 GAA。
GAA可以使三星生產出比台積電目前使用的工藝更小（45%）、能耗更低（50%）的晶片。慶桂顯稱「客戶對三星的3奈米GAA 工藝的反映很好。」
慶桂顯還表示，三星認為記憶體晶片在開發 AI 伺服器方面將變得更重要，並超過輝達 GPU，並稱三星將確保以記憶體半導體為中心的超級電腦能夠在 2028 年問世。」
據IT之家此前報導，近期三星稱，其 4奈米晶片製程良率已改善、接近 5奈米的水準，下一代 4奈米製程將提供更高的良率。
業內消息人士透露，美國晶片巨頭 AMD 已經選擇三星作為其 4奈米處理器的合作夥伴。此外，谷歌也將委託三星生產其 Pixel 8 智慧手機的 Tensor 3 晶片，採用三星第三代 4奈米工藝節點。
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