科林研發Lam Cryo 3.0 低溫蝕刻技術 持續推進3D NAND目標
科林研發全球產品事業群資深副總裁 Sesha Varadarajan 表示，Lam Cryo 3.0 為客戶邁向 1,000 層 3D NAND 奠定基礎，科林研發已經使用科林研發低溫蝕刻製造了五百萬片晶圓，這項最新技術是 3D NAND 生產領域的突破。它以埃米級精度建立高深寬比（HAR）特徵，同時對環境造成更低的影響，且蝕刻速率是傳統介電層製程的兩倍以上。Lam Cryo 3.0 是科林研發的客戶在人工智慧時代突破 NAND 關鍵製造挑戰所需的蝕刻技術。
迄今為止，3D NAND 主要透過儲存單元的垂直層堆疊取得進展，這是透過蝕刻深而窄的 HAR 儲存通道實現的。蝕刻輪廓的極小原子級誤差可能會對晶片的電效能產生負面影響，並可能影響良率。經過最佳化的 Lam Cryo 3.0，可解決上述提及和其他微縮方面的蝕刻挑戰。
Counterpoint Research 聯合創辦人暨研究副總裁 Neil Shah 表示，人工智慧正在推升雲端和邊緣的快閃記憶體容量和效能的大量需求。促使晶片製造商擴大 NAND 快閃記憶體的規模，力爭在 2030 年底前實現 1,000 層 3D NAND。Lam Cryo 3.0 低溫蝕刻技術是突破傳統技術的大躍進。它以近乎完美的精度和控制來蝕刻深寬比 50 倍以上的儲存通道，實現小於 0.1% 的蝕刻輪廓誤差。這一突破顯著提高了先進 3D NAND 的良率和整體效能，使晶片製造商能夠在人工智慧時代保持良好的競爭力。
Lam Cryo 3.0 利用該公司獨特的高功率侷限電漿反應器、製程改善和遠低於 -0oC 的溫度，從而利用新型蝕刻化學製程。與科林研發最新的 Vantex® 介電層系統的可擴展脈衝電漿技術結合時，蝕刻深度和輪廓控制顯著增加。使用 Lam Cryo 3.0 技術，3D NAND 製造商可以蝕刻深度高達 10 微米的儲存通道，從頂部到底部的關鍵尺寸誤差*小於 0.1%。
科林研發於 2019 年將全球首款低溫蝕刻產品投入量產。如今，在 NAND 生產中使用的超過 7,500 個科林研發 HAR 介電層蝕刻腔體中，已有近 1,000 個使用低溫蝕刻技術。Lam Cryo 3.0 現以提供領先的記憶體製造商使用。它是科林研發用於 3D NAND 製造的廣泛蝕刻、沉積和清洗解決方案組合的最新成員。
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