3奈米卡關？傳三星改動平澤P4晶圓廠生產計畫 全力衝刺HBM
根據《韓國時報》報導指出，三星似乎改變平澤P4工廠的戰略，優先考慮先進的DRAM記憶體生產，如HBM晶片，先前三星才在該廠設置NAND Flash生產線，預計近期投產，並開始安裝電力設備。先前也有消息指出，三星在美國德州的泰勒市的晶圓廠建廠行動，原本用以生產4奈米，受到先進製程良率影響，考慮將相關人員撤出，藉此集中資源發展。
三星平澤P4工廠為2022年開始動工，並與P3工廠有類似的生產設施，第一階段將生產NAND Flash，之後投入於晶圓代工，接著才是DRAM生產線，但最新變動是將第一階段後的生產流程，更動為HBM跟置NAND Flash生產線。
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