突破美國封鎖？長鑫存儲發表GAA技術論文 適用於3奈米晶片
IT之家指出，專利中提及GAA技術適用於包括5奈米、7奈米、10奈米和14奈米在內的3奈米以下晶片，但這並不代表長鑫存儲當前具備製造3奈米的能力。
根據《南華早報》報導，長鑫存儲雖然沒有發布相關的樣品，但本次論文的發布，引發產業分析師對該公司下一代記憶體的廣泛關注，表明長鑫在面對美國封鎖下，不斷加強自主晶片開發能力。
長鑫存儲發表聲明稱，該論文描述與DRAM結搆和4F2設計可行性相關的基礎研究，與長鑫存儲當前的生產工藝無關，暗示該設計紙張還遠未成為一種適銷對路的產品。
據長鑫存儲官網顯示，長鑫存儲推出最新LPDDR5 DRAM存儲晶片，是中國首家推出自主研發生產的LPDDR5產品的品牌，實現中國市場零的突破，同時也讓長鑫存儲在移動終端市場的產品布局更多元。
長鑫存儲LPDDR5系列產品包括12GB的LPDDR5顆粒，POP封裝的12GB LPDDR5晶片及DSC封裝的6GB LPDDR5晶片。12GB LPDDR5晶片目前已在中國主流手機廠商小米、傳音等品牌機型上完成驗證。LPDDR5是長鑫存儲面對中高階移動設備市場推出的產品，它的市場化落地將進一步完善長鑫存儲DRAM晶片的產品布局。
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