格棋中壢新廠落成 攜手中科院、三菱綜合材料商加速布局碳化矽市場
格棋化合物半導體自2016年即展開長晶技術研發，並於2022年正式成立，專注於第三代化合物半導體的工藝技術開發，研發團隊成員在化合物半導體領域累積了豐富經驗。格棋中壢新廠的總投資額高達6億元，預計於2024年第四季達到滿產，屆時6吋碳化矽晶片月產能將達5,000片。同時，新廠計劃安裝20台8吋長晶爐及100台6吋長晶爐，預期大幅提升產能，並為當地提供超過50個工作機會。
格棋董事長張忠傑致詞表示，中壢新廠的啟用是公司發展歷程中的重要裏程碑，格棋將持續投資先進設備與技術，以滿足全球市場對碳化矽日益增長的需求。因應全球企業社會責任（ESG）趨勢，中壢新廠導入能源管理系統及再生能源系統，結合儲能技術，透過削峰填谷方式平衡能源需求，減少高峰時段的能源負荷，進一步降低能源成本及碳排放。
格棋還宣布與中科院簽署合作協議，雙方將攜手開發高頻通訊用碳化矽元件，以加速進軍5G/B5G通訊市場。中科院副院長簡定華指出，全球能源短缺與氣候變遷挑戰日益嚴峻，而高科技創新是解決這些問題的關鍵。他進一步指出，碳化矽技術具備高效能與低功耗的優勢，已廣泛應用於汽車、發電、5G通訊、軍事等領域。自民國100年起，中科院與經濟部、國防部合作，積極投入綠能與碳化矽的研發，並在10年間累積了大量技術與專利，未來也計劃與產業界共享這些研發成果，推動技術應用的進一步發展。
格棋亦宣布與三菱綜合材料商貿簽署合作協議，雙方將聯手開拓日本市場。根據合作協議，三菱綜合材料商貿將負責向日本市場提供6吋和8吋碳化矽晶錠、晶圓及磊晶片材料，格棋則負責整合台灣的合作夥伴資源，確保供應鏈的穩定與品質。三菱綜合材料商貿社長橋本良作指出，台灣與日本在半導體產業中的關鍵角色，並表示碳化矽元件在日本市場的潛力無限，預期此次合作將為雙方帶來雙贏局面。
格棋技術長葉國偉強調，碳化矽半導體因其具備高效能、高頻率及耐高溫的特性，在電動車、混合動力車及5G通訊等領域展現了廣泛應用前景。隨著技術的不斷成熟及成本的降低，市場需求快速增長，格棋的目標是透過技術創新，鞏固其在全球碳化矽供應鏈中的核心地位。
格棋擁有獨特的碳化矽晶體成長技術，包括專有的晶種結合方法、即時監控系統、塗層技術以及原料控制和熱處理技術，這些技術能有效提升晶體品質，降低缺陷密度，為客戶提供高品質、高可靠性的碳化矽晶圓產品。隨著中壢新廠的正式啟用以及與國際夥伴的戰略合作，格棋化合物半導體將邁向新的成長階段，未來將持續投入研發，優化製程技術，進一步強化台灣在全球第三代半導體產業中的領導地位。
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