這是三星和美光的愿望，但從數據來看，這大概率是個不可能任務。

過去幾年，在AI的推動下，英偉達掙得盤滿鉢滿。作爲英偉達GPU的主要部件HBM的供應商，SK海力士也水漲船高。

在今年四月舉辦的財報說明會上，SK 海力士表示，受人工智能需求推動，公司營收增速創下 2010 年以來最快，預計內存市場將全面復蘇。

數據顯示，這家全球第二大內存制造商的銷售額在一季度增長了144%，達到 12.4 萬億韓元（約合 90 億美元），遠遠超出預期。營業利潤爲 2.89 萬億韓元（去年的虧損爲 2.6 萬億韓元），遠超預期的 1.8 萬億韓元利潤。這也是該公司有史以來第二高的第一季度營業利潤。

毫無疑問，HBM是SK海力士這波崛起的重要原因。SK海力士首席財務官 Kim Woohyun 也直言：“憑借 HBM 引領的 AI 內存領域業界最頂尖的技術，我們已經進入明顯的復蘇階段。”

但是，三星和美光卻虎視眈眈。

絕對王者

關於HBM沿革，在半導體行業觀察之前的文章《HBM的逆襲好戲》中，已經有了很詳細的描述，在本文我們就不再贅言。然而，我們需要重申一下SK海力士在HBM市場的絕對影響力，以及他們的HBM帶給市場的影響。

據市場研究公司 TrendForce 稱，SK 海力士去年以 53% 的市場份額領先 HBM 市場，其次是三星電子 (38%) 和美光 (9%)。

最近，關於HBM有很多消息，但SK 海力士 HBM 設計主管 Park Myeong-Jae 在最近一篇博客中表示：“SK 海力士被公認爲 HBM 市場無可爭議的領導者。”他進一步指出，SK Hynix 於 2009 年开始开發 HBM 芯片。該公司預計高性能內存芯片的需求將會增加，並花了四年時間开發 HBM，專注於硅通孔 (TSV) 技術。該公司於 2013 年 12 月推出了首款 HBM 芯片。

然而，SK海力士要在 HBM 上大顯身手還有很長的一段路要走。因爲在2010年代，計算機市場還沒有成熟到可以接受當下“超出需要”的高速度、高容量的HBM產品。因此，SK海力士在第二代產品HBM2开發中遇到困難時，有許多人對HBM業務的前景表示擔憂。Park Myeong-Jae 副社長將該時期描述爲“在危機中發現機遇的時期”。

於是，從HBM2E开始，SK海力士便以遠超外界期待值爲目標，並加強了團隊協作。研發HBM需要將各種復雜技術巧妙結合，因此與相關團隊合作解決挑战、創造協同效應尤爲關鍵。得益於此，SK海力士取得了顯著技術進步。也在MR-MUF、HKMG和 Low-K IMD 等主要基礎技術上打下了基礎。

最終，憑借HBM3壓倒性的性能與特性，SK海力士贏得了較高的市場份額。

截止到現在，SK Hynix 是三家公司中第一家通過 Nvidia 認證測試並成爲主要供應商的公司。業內估計，SK Hynix 的 HBM3E 良率已經穩定，據報道其營業利潤率是 DRAM（動態隨機存取存儲器）的兩倍。

Park Myeong-Jae介紹說：“SK海力士的HBM產品具備業界最佳的速度和性能。尤其是公司獨有的MR-MUF技術，爲高性能提供了最穩定的散熱，爲造就全球頂尖性能提供了保障。此外，SK海力士擁有快速量產優質產品的能力，對客戶需求的響應速度也是首屈一指的。這些競爭優勢的結合使HBM3E脫穎而出，躋身行業前列。”

正因爲如此，SK海力士的HBM受到了客戶的高度歡迎。

據外媒報道，SK 海力士目前爲亞馬遜、AMD、Facebook、谷歌 (Broadcom)、英特爾、微軟以及 NVIDIA 等客戶生產各種類型的 HBM 內存。而由於芯片供應商希望確保對其成功至關重要的內存堆棧的供應，因此幾個月前就已下達的 HBM 內存訂單現在已經積壓到 2025 年。

與此同時，美光和三星正在緊追慢趕，美光在近日更是表示，預計明年將佔據 HBM 市場的 20% 以上，這比目前的 9% 大幅提升。

不甘人後

作爲HBM的後進者，美光科技和三星不甘人後。

首先看美光，作爲HBM三強中的最後一名，他們採取了大膽的战略舉措，跳過第四代高帶寬內存 (HBM) HBM3，直接進入第五代 HBM (HBM3E)，旨在佔據下一代 HBM 市場的很大份額。這一決定已經开始見效，美光獲得了 Nvidia 的訂單，並开始增加供應量，最終於去年年底向 Nvidia 全面供應 HBM3E。

美光總裁兼首席執行官 Sanjay Mehrotra在日前的財報會議上表示表示：“強勁的 AI 需求和強大的執行力使美光第三財季收入環比增長 17%，超出了公司的預期範圍。美光在高帶寬內存 (HBM) 等高利潤產品的份額不斷擴大。”

“美光在第二財季开始出貨 HBM3E 內存，並在第三財季從這些產品中獲得了超過 1 億美元的銷售額。” Mehrotra說。他進一步指出，這些產品是盈利的。美光預計，在 2024 財年（僅剩一個季度），公司的HBM 內存將帶來數億美元的收入，在 2025 財年（從 2024 年 9 月开始，一直到 2025 年 8 月）將帶來數十億美元的收入。美光 2024 年和 2025 年的 HBM 供應已經售罄，2024 年全年和 2025 年大部分時間的定價已經確定。

從長遠來看，美光預計其在 HBM 市場的份額將在 2025 年左右與其在整個 DRAM 市場的份額大致相同。有趣的是，美光正在對其 12 高 HBM3E 堆棧進行送樣，並將於 2025 年投入量產，並且它還計劃在未來產品中採用 HBM 4 和 HBM4E。

在HBM上備受打擊的三星也重整旗鼓。

如文章开頭所說，盡管三星是業內最大的內存芯片制造商，但在 HBM 領域，它遠遠落後於全球第二大內存制造商 SK 海力士。據韓媒五月底的報道，SK海力士一直是英偉達公司 HBM 芯片的最大供應商，英偉達控制着人工智能計算任務核心圖形處理單元 (GPU) 市場 80% 以上的份額。目前，這家韓國芯片制造商是英偉達第四代 HBM3 芯片的唯一供應商。

在HBM等芯片的落後，促使三星在五月撤換了半導體領導人。擁有豐富經驗的Jun Young-hyun臨危受命，承擔存儲巨頭研發和向英偉達出售HBM芯片的重任。但隨後，有關三星HBM沒能經過英偉達驗證、三星HBM良率過低等新聞見諸報端。在六月底，有媒體報道稱，英偉達要求三星更改其高帶寬內存（HBM）的設計，這將導致供貨進一步延遲。

上述種種信息，三星都否認了。不過由此我們可以看到這家存儲巨頭在HBM上的掙扎。

綜上所述，SK海力士在HBM方面似乎短期無憂。但在擴大HBM3E產能方面，他們面臨挑战。一位知情人士表示：“NVIDIA正在向SK海力士施壓，要求其增加供應量，但隨着HBM3E和上一代HBM3的投產，可用產能已接近飽和。”

現代汽車證券研究員樸俊英也表示，“如果沒有SK海力士以外的另外兩家公司的幫助，NVIDIA將無法滿足其HBM需求。”樸俊英預測，“HBM短缺的情況將持續到今年第四季度，如果這三家公司的CAPA不被納入全球HBM CAPA，短缺可能會延續到2025年上半年。”

爲此，美光和三星迎難而上，SK海力士也以攻爲守。

硝煙再起

作爲領先者，SK海力士當然不愿意坐以待斃，這首先體現在公司在保證產能供給上做得努力。在日前，SK海力士宣布，根據投資計劃，SK海力士到2028年將撥款103萬億韓元，其中80%（82萬億韓元）投向HBM等AI相關業務領域，以維持公司HBM的地位。

在更早的四月，SK海力士曾表示，將斥資20萬億韓元（146億美元）在忠清北道建設生產動態隨機存取存儲器 (DRAM) 芯片的M15X晶圓廠，以滿足AI芯片熱潮中不斷增長的需求，鞏固其在高性能存儲芯片領域的地位。

SK集團董事長崔泰源在六月中接受日本《日本經濟新聞》採訪時表示，該公司正在調查在日本和美國等國家生產高帶寬存儲器（HBM）的可能性。“除了增加國內生產（HBM），如果需要額外投資，我們還在不斷調查是否可以在日本和美國等其他國家生產。”崔泰源表示。

至於美光，據日經新聞援引消息人士報道，內存巨頭美光科技正在美國建設一條先進高帶寬內存（HBM）的試驗生產线，並考慮首次在馬來西亞生產HBM，以滿足AI熱潮帶來的更多需求。報道稱，美光公司正在美國愛達荷州博伊西市總部擴建HBM相關研發設施，包括生產和驗證线。此外，美光公司還考慮在馬來西亞建立HBM生產能力，目前該公司已經在馬來西亞設有芯片測試和組裝工廠。

此前，美光最大的 HBM 生產工廠位於台灣台中，擴建工作也在進行中。而業內消息顯示，美光預計將在新工廠投資 6000 億至 8000 億日元，該工廠位於現有 Fab15 工廠附近。最初，新工廠將專注於 DRAM 生產，不包括後端封裝和測試，重點是 HBM 產品。

三星也火力全开。三星公司執行副總裁兼 DRAM 產品技術領域負責人在今年三月曾表示，預計該公司今年的 HBM 芯片產量將比去年增加 2.9 倍。三星同時還公布了HMB路线圖，預計2026年HBM出貨量將達到2023年產量的13.8倍，到2028年HBM年產量將進一步上升至2023年產量的23.1倍。

來到技術方面，三巨頭的競爭也白熱化。

SK海力士在五月的一次行業活動中表示，它可能在 2025 年率先推出下一代 HBM4。在那次活動中，該公司展示了一張幻燈片，其中展示了 Nvidia Grace Hopper GH200 GPU 內封裝的兩個 HBM3E 模塊（見插圖）。負責該公司 DRAM 和 NAND 技術开發的 SK海力士高級副總裁 Ilsup Jin 上個月在安特衛普 ITF World 上表示，該公司的下一代 HBM4 可能會提前上市。“HBM4 很快就會面世，”Jin說。“明年就會面世。”

該公司還計劃到2026年提供HBM4E。

美光則預計在 2026 年至 2027 年期間將有 36GB 到 48GB 的 12-Hi 和 16-Hi 堆棧HBM 4。據美光稱，HBM4 之後將在 2028 年推出 HBM4E。HBM4 的擴展版本預計將獲得更高的時鐘頻率，並將帶寬提高到 2+ TB/s，容量提高到每個堆棧 48GB 到 64GB。

關於其未來的 HBM 路线圖，三星計劃在 2025 年生產其 HBM4 樣品，其中大部分爲 16 堆棧，預計在 2026 年實現量產。據 TheElec 報道，今年早些時候，三星使用其子公司 Semes 的混合鍵合設備生產了 16 堆棧 HBM 樣品，並表示該樣品運行正常。TheElec 援引三星上個月在 2024 年 IEEE 第 74 屆電子元件和技術會議上披露的信息，獲悉三星認爲混合鍵合對於 16 層及以上的 HBM 至關重要。

在過去，HBM更多是標准品的競爭。但從SK海力士Park Myeong-Jae 的介紹中我們得知，這在未來將是一場定制化競爭。

他表示：“持續創新對於保持和提升SK海力士目前的地位至關重要”、“特別是隨着我們的HBM產品线隨着解決方案的定制而多樣化，與客戶和代工行業的合作 在未來將變得越來越重要。在這些變化中，我們的目標是穩步前進，緊跟潮流，保持市場領先地位。”他補充道。

這無疑將掀起HBM的另一維度競爭。

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